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10/18漢磊第五代SiC DMOS：1200V晶圆测试良率突破90%

已见于 09/21晚间

话题 · 硬件/算力

先看结论

漢磊第五代SiC DMOS：1200V晶圆测试良率突破90%

导通损耗降低12%、整体效能提升15%

这些标记是什么意思

疑似或传闻 当事方还没回应迹象指向 依据接口、代码提交等公开痕迹作出的推断转述 二手说法，不是原话

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供给

汉磊推出第五代碳化矽 DMOS 技术平台，导通损耗降低 12%、效能提升 15%，1200V 晶圆测试良率突破 90%

科技新报𝕏

看什么现在的情况依据
事实导通损耗降低12%、整体效能提升15%
后果应用指向AI数据中心功率器件
官方科技新报

产业解读

关键数字1200V晶圆测试良率突破90%；导通损耗降12%、效能升15%
时间点当前节点是第五代平台推出与1200V晶圆测试
谁会受影响SiC功率器件选型、AI数据中心电源链路效率与代工测试产能被碰到

这不是投资建议。

每早一封：昨夜到今晨新增的几件事，每件一行，点开回站点看完整。
HOURAHEAD关于 · 往期 · 2026-10-18 18:42